内存芯片的主要的参数

当前位置：维修入门 >> 硬件基础 >> 硬件知识 >> 内存芯片的主要的参数 内存芯片的主要的参数 加入时间：2003年9月1日 显示次数：7050 打包邮递 推荐给朋友 投票评论 　　1.cas （column address strobe，列地址选通信号），准确的说应该是cl（cas latency，纵列存取延迟时间），它用时钟周期数表示。在某一固定外频下，其数值越小越好，一般为2个时钟周期。另外还有ras（row address strobe，行地址选通信号），它和cas一起确定其它设备在内存中的访问地址。
　　2.tac数据存取时间。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好。
　　3.trcdras相对于cas的延时。以时钟周期数表示，一般为2。
　　4.trpras预充电时间。以时钟周期数表示，一般为2。
　　5.tclk时钟周期。pc100不大于10ns，pc133不大于7.5ns。tclk决定内存芯片的额定 高工作频率。额定 高工作频率=1000/tclk，如：tclk=10ns，则额定 高工作频率=100mhz。
　　6.burst cycle time突发周期时间。不大于8ns。
　　7.spd（serial presence detect）是一颗焊于电路板上的8针、256字节的eeprom芯片，面积4mm×3mm，型号多为24lc01b。其内部记录着内存的速度、容量、行/列地址、电压等基本参数。如果主板支持spd，开机时bios将读取spd内的信息，保证系统的稳定。spd是识别pc100及pc133内存的一个重要标志。
　　按以上参数， 差的pc100内存芯片应该是tac=6ns，tclk=10ns，trcd=20ns，trp=20ns，突发周期=8ns。由于intel公司及威盛电子都没有定义标记pc100及pc133内存的方法，所以各芯片厂商用自己的方法标记内存芯片。而一些厂商将突发周期数印在芯片上，甚至是将tac值印在芯片上，又不加特殊说明，造成市场上出现了众多的“8ns”、“6ns”内存条，使js有机可乘，也导致diyer们被误导。

作者：
来源：电脑报