机箱内部线路的整理以及优化
内存颗粒的封装方式经历了dip、sip、soj、tsop、bga、csp的变革，可谓风风雨雨一路发展而来。在介绍内存颗粒封装之前，让我们先来看看内存的3种模块。
在早期的pc中，存储芯片都是直接焊接在主板上的， ram的容量也就因此固定下来，如果要扩容就很麻烦。为了拓展ram的容量，后来设计者就把存储芯片做成专门的存储模块，需要的时候再添加。
simm（单列直插存储模块）
体积小、重量轻，插在主板的专用插槽上。插槽上有防呆设计，能够避免插反，而且插槽两端有金属卡子将它卡住，这便是现今内存的雏形。其优点在于使用了标准引脚设计，几乎可以兼容所有的pc机。
dip
早期的内存颗粒也采用dip（dual in-line package双列直插式封装），这种封装的外形呈长方形，针脚从长边引出，由于针脚数量少（一般为8～64针），且抗干扰能力极弱，加上体积比较“庞大”，所以dip封装如昙花一现。
sip（single in-line package单列直插封装）只从单边引出针脚，直接插入pcb板中，其封装和dip大同小异。其吸引人之处在于只占据很少的电路板面积，然而在某些体系中，封闭式的电路板限制了sip封装的高度和应用。加上没有足够的引脚，性能不能令人满意，很快退出了市场。
从soj（small out－line j－lead小尺寸j形引脚封装）中伸出的引脚有点像dip的引脚，但不同的是其引脚呈“j”形弯曲地排列在芯片底部四周，必须配合专门为soj设计的插座使用。
在1980年代出现的tsop封装（thin small outline package薄型小尺寸封装），由于更适合高频使用，以较强的可操作性和较高的可靠性征服了业界。tsop的封装厚度只有soj的三分之一。tsop内存封装的外形呈长方形，且封装芯片的周围都有i/o引脚。例如sdram内存颗粒的两侧都有引脚，而sgram内存颗粒的四边都有引脚，所以体积相对较大。在tsop封装方式中，内存颗粒是通过芯片引脚焊在pcb板上的，焊点和pcb板的接触面积较小，使得芯片向pcb板传热相对困难。
tiny-bga（tiny ball grid array小型球栅阵列封装）是由 kingmax推出的封装方式。由于tiny-bga封装减少了芯片的面积，可以看成是超小型的bga封装。tiny-bga封装比起传统的封装技术有三大进步：更大的容量（在电路板上可以安放更多的内存颗粒）；更好的电气性能（因为芯片与底板连接的路径更短，减小了电磁干扰的噪音，能适合更高的工作频率）；更好的散热性能（内存颗粒是通过一个个锡球焊接在pcb板上，由于焊点和pcb板的接触面积较大，所以内存颗粒在运行中所产生的热量可以很容易地传导到pcb板上并散发出去）。
mbga（micro ball grid array微型球栅阵列封装）可以说是bga的改进版，封装呈正方形，内存颗粒的实际占用面积比较小。由于采用这种封装方式内存颗粒的针脚都在芯片下部，连接短、电气性能好、也不易受干扰。这种封装技术会带来更好的散热及超频性能，尤其适合工作于高频状态下的direct rdram，但制造成本极高，目前主要用于direct rdram。
csp（chip scale package芯片级封装）是一种新的封装方式。在bga、tsop的基础上，csp封装的性能又有了革命性的提升。csp封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14，接近1∶1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的bga的1/3，相当于tsop内存颗粒面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的内存颗粒，从而增大单条容量。也就是说，与bga封装相比，同等空间下csp封装可以将存储容量提高3倍。而且，csp封装的内存颗粒不仅可以通过pcb板散热还可以从背面散热，且散热效率良好。同时由于jedec（joint electron device engineering council，电子设备工程联合委员会）制定的ddrⅱ技术规范，加上tsop-ⅱ封装会在ddrⅱ成为市场主流时彻底退出市场，所以csp的改良型wlcsp将会担当起新的封装大任。同时wlcsp有着比csp更为贴近芯片尺寸的封装方法，在晶圆上就做好了封装布线，因此在可靠性方面达到了更高的水平。
接下来我们顺理成章地要说到wlcsp(wafer level chip scale package晶圆级芯片封装），这种技术不同于传统的先切割晶圆，再封装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。wlcsp有着更明显的优势。首先是工艺工序大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类。所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，这在传统工艺中都是不可想象的。其次，生产周期和成本大幅下降，wlcsp的生产周期已经缩短到1天半。而且，新工艺带来优异的性能，采用wlcsp封装技术使芯片所需针脚数减少，提高了集成度。wlcsp带来的另一优点是电气性能的提升，引脚产生的电磁干扰几乎被消除。采用wlcsp封装的内存可以支持到800mhz的频率， 大容量可达1gb！
