康佳T2105型电视机自动
下文主要围绕三个问题点进行对配管方面的阐述：1.配管需要关注的问题、2.配管调整项目说明、3.配管实际操作流程。
定义：对一个已确认故障是由于彩管引起的需更换显象管，但由于在库没有同一型号的显象管，需配其它型号的显象管，经更改相关电路后，能达到各项质量指标要求，这项工作称为“配管”。
配管需要关注的问题：
1.新选配crt的偏转特征及光栅的几何失真
① crt屏幕半径（普平、超平、纯平等）
②管颈直径（细管颈：22.5mm 粗管颈：29.1mm)
③单/双聚焦
④行偏转线圈(dy)的电感量
⑤场偏转线圈(dy)电阻及电感量
⑥消磁功率大小及特性
⑦东西枕校失真率，枕校电路的动态范围
⑧南北枕校失真率，枕校电路的动态范围
⑨图象重显率
⑩行/场非线性失真率、行场中心偏差、s失真率等
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2. 检查调整crt的供电及其他电压。
①电源电压b+
②eht（高压）电压
③灯丝电压
④聚焦电压（含动态聚焦/单双聚焦）
⑤加速极（ g2 ）电压
⑥行逆程时间、行管反峰电压及高压包次级各整流电压
⑦场供电电压、反峰电压
⑧束流(小屏幕
3.eht补偿
4.检查关机消亮效果
①交流开关机、②遥控开关机、③快速交流开关机、④快速遥控开关机
5.检查微音效应、摩尔效应
6. 检查crt打火保护
7.检查机壳与crt的配合
8.整机跌落试验与震动试验
配管调整项目说明：
一.eht电压值
规格/推荐:1.小屏幕：24～ 26kv 、2.大屏幕：26～29kv（25寸以上为大屏幕）
配管说明:
1.必须在crt规格范围内
2.选用较高的eht可使亮度提高，聚焦和图像清晰度得到改善。
3.增高eht,会使行输出级及电源功耗增大。
4.eht越高，图像宽度随束电流变化的幅度越大。
5.eht过高，对fbt、crt等器件的可靠性不利。
二.灯丝电压规格/推荐:
1.一般：6.3vrms+/-5%、2.特殊：6.0v/6.15vrms+/-5%
配管说明:
1.如过高会使灯丝升华现象加剧，过低又会使阴极中毒，都会严重影响crt寿命。
2.测量灯丝电压必须采用真有效值电表（fluke），不能用普通的万用表。
3.因配管需调整逆程时间及b+电压,这可能对灯丝电压有所影响，因此需要在配管完成后对灯丝电压做检查。
三. 灯丝电流规格/推荐:
1.一般300～680ma配管说明:
2.crt灯丝端子所加电压正确,其电流就自然正确
3.如所配crt管灯丝电流不同，灯丝电路的降压电阻阻值就需要改动，以保证灯丝电压为6.3+/-5%v
四.聚焦电压 规格/推荐:
1.一般：25%-35%eht
配管说明:
1.由于高压包聚焦电压的输出内阻极高，测量聚焦电压时，除静电计外，其他仪表（包括高压棒），均对聚焦电压的测量结果有所影响。
2.高压包的聚焦电压调整范围必须满足crt的规格及余量要求。
五.管颈直径规格/推荐:
1.细颈φ21mm 、2.粗颈φ29.1mm配管说明:
1.细颈偏转灵敏度高，但聚焦性能及磁屏蔽差。
2.粗颈偏转灵敏度低，但聚焦性能好。
3.现时只有14“及21”小屏幕有少量细管颈crt供应，大屏幕细管径crt极少生产。
六.偏转角
规格/推荐: 1.小屏： 90°、2.大屏： 104°-110°配管说明:
1.偏转角越大则：
①管颈越短、②枕形失真，s形失真越大、③对屏幕4角及边缘的聚焦、色纯、会聚、亮度均匀性及莫尔效应都不利。
2. 偏角越大，所需：
①偏转功率越大 、②枕校功率越大 、③s修正电容容量越少
七.行dy电感量
规格/推荐:1. 21″: 1.8～2.7mh、2. 25"～34" : 1＋/-0.1mh
配管说明:1. dy电感越大，则:①行输出级b+电压必须越高、②s修正电容容量越小、③行线性校正线圈电感量越大 、④逆程电容容量越少（以保持逆程时间不变）。
八.行输出级b+电压规格/推荐:1.小屏：108+/-2v、2.大屏：130+/-2v
配管说明:
1.由于枕校电路损失了一部份分电压，因此大屏幕彩电需要较高之b+电压。
2.行输出b+电压越高，则: ①行宽越大(虽然可通过枕校把行宽调小，但会增大枕校电路及电源的功耗，所以并不推荐)、 ②行管反峰压越高、③高压包各输出电压,如eht、灯丝电压等也会有所升高。
九.逆程时间规格/推荐:
1. 小屏: 11.0-11.5us、2.大屏: 11.4～11.8us
配管说明:
1. 由于大屏彩电b+电压比小屏高，为了使行管集电极电压不致太高（≦1100v）一般把逆程时间选得较长。
2. 逆程时间越短，则：①eht电压越高、②行管集电极反峰压越高
3.逆程时间过长，则：①容易出现左右卷边及露边现象、②行中心调整范围会减小
十.东西枕校电路（只适合大屏）配管说明
1.小屏：一般采用带东西南北自枕校的偏转线圈，无需任何枕校电路
2.大屏：一般采用只带南北自枕校的偏转线圈，东西枕校必须外电路完成。
3.crt偏转角越大、屏幕越平，所需枕校电压越大。
4.要使枕校电压增大，则：①枕校电容必须减小（见图1），相应的枕校电感必须增大（以保持逆程时间不变）。 ②行输出b+电压必须越高（以弥补枕校电路的电压损失）
十一. 宽度调整（只适合小屏）配管说明:
1.宽度线圈可作宽度调整用,但：①这会增加成本、 ②如宽度线圈铁芯饱和，则会增大s失真、 ③如焊接不良有可能引起电路板着火。
2.可配合下列调整以得到合适的光栅宽度: ①b+电压越高，宽度越大、②如只需做些微调整，可改变下述参数: ·s电容越少，宽度越大 ·逆程电容越大，宽度越大(由于eht变低)
配管实际操作流程图：
一.粗调显像管 加速极（g）、聚焦电压
当前值crt的所有电压标称值范围a,都必须在高压包对应各电压的调整范围b内。
二. 粗调场偏转输出电路
1.场偏转线圈电阻及电感越大,所需场供电电压越高.
2.必须检查50hz、60hz场频及无信号时的工作状态。
三.检查枕校调校范围
1.进入工厂调校模式/枕校调整项；
2.将枕校增益调整至 大及 小时，应相应出现≥5%的桶形失真及枕形失真。这表示枕校增益已足够。
操作说明:
1.屏幕越平（玻屏曲率半径越大）、偏转角越大，所需增益调整范围就越大。
四.检查调整枕校电路的动态范围
图像宽度及b+电压检查
(1)将宽度调大0.5格时,图像不应出现下图(1)(2)所示之内弯现象.如果出现内弯,则表示b+电压太低。
(2)将宽度调大1.2格时,图像应该出现下图(1)(2)所示之内弯；若不出现,则表示b+电压太高。 (3)若图像不能调大1.2格,说明枕校电路的宽度调整范围不够,应重新调整枕校电路的增益。
四.检查调整枕校电路的动态范围
枕校动态范围检查
(1)将图像宽度慢慢调小0.5格,不应出现下图(3)(4)所示之外弯现象,如出现,则表示枕校电路的动态范围不够,可减少枕校逆程电容(同时相应增大枕校电路逆程电感,以保持逆程时间不变).
（2）b+电压过高、或枕校范围过大，将导致枕校输出管、行管、电源等负载加重，功耗和温漂加大，可靠性下降。因此应尽量避免。
五. 检查/调校行输出和枕校逆程时间及其一致调整步序:
1.用双迹示波器同时观察行输出逆程脉冲（a)及枕校逆程脉冲(b)波形。
2.比较二者的逆程时间是否一致,如图所示。
3.如不一致,可通过改变枕校电容或电感使其一致。
4.tr必须在推荐值范围内。小屏：11～11.5us 大屏：11.4～11.8us
五. 检查/调校行输出和枕校逆程时间及其一致操作说明:
1.行逆程时间越短,则:①eht越高. ②行管集极反峰压越高.
2.行逆程时间过长,则:①容易出现图像左右卷边及露边现象.②行中心调整范围减小.
六.检查调整行线性及s失真
非线性失真：行偏转线圈的电阻越大,行扫描的非线性失真越大;
2.s失真：屏幕越平,偏转角越大,s失真越严重
七.检查/调整 大束电流及全屏 大亮度
1.屏幕越大，透光率越低，所需束电流越大. 大束电流：21"--1.2ma、25"～29"--1.4～1.6ma
八.检查场输出动态范围
1.接收60hz场频信号。
2.观察场输出ic的输出电压波形。
3.慢慢增大场幅约+10%时,场输出波形下尖位置应出现饱和,如右图a所示。
4.当场幅增大到+15%时,场输出波形上部应出现饱和压缩,如右图b所示。
十.复查调整后的电压
检查下列各电压值：
eht电压、行管反峰压、灯丝电压、开关电源次级各电压、高压包次级各电压。
2.要求：
（1）电压必须在正常工作范围内，并有足够余量。
（2）应在 差工作条件下（如负载 重时）进行检查。
十一.检查微音效应及摩尔效应
1.微音效应：crt荫罩有可能随喇叭震动，使图像出现随伴音而变化的闪动干扰。不同的crt其抗震表现不同，其中纯平管 差。
2.摩尔效应：由crt荫罩孔与扫描线之间的差拍引起。不同crt的表现不同，其中纯平管 差。
十二.检查消亮效果
1.屏幕上不能出现消亮线。
2.绝对不能出现亮点，否则将烧坏荧光屏。
3.残留高压≤5kv。
十三.检查机壳与crt的配合间隙和装配 关系是否正确
1.采用屏面较前壳平的crt时，显像管与外壳之间易出现离缝。
2.配用曲率半径较前壳小的显像管,外壳顶部易出现内凹。
