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仿真结果如图8所示。从图中可以看出,大效率为98.7%,出现在60%的标称输出功率附近。该阶段的其他损耗没有建模。当然,为了进行分析,不仅需要考虑控制电路和栅极驱动电路,还需要考虑电感和其他无源元件的损耗。然而,很明显,在使用了650V SiC MOSFET的图腾柱PFC中,可以实现高性能的PFC电路。
这些接收器IC具有超高的集成度,因而对现代无线设计师来说,可以大幅提升性能,节省DC功耗,如图6所示。IC采用一种技术,可以同时优化片上混频器周围的RF和IF级。
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