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兴化介电常数介质损耗测试仪 操作手册
结构采用了双层屏蔽。
4pF—2000pF
实际上ZM的幅角直接给出ax
西林 电桥 是测量电容率和介质损耗因数的装置。它可使用从低于工频(50H z-60H z)直至100 kHz的频率范围,通常测定50 pF-1 000 pF的电容(试样或被试设备通常所具有的电容)这是 一 个 四臂回路(图A.1) 。其中两个臂主要是电容(未知电容Cx和一个无损耗电容C,)。另外两臂(通常称之为测臂)由无感电阻R,和R:组成,电阻R,在未知电容Cx的对边上,测量臂至少被一个电容C,分流一般地说电容C:和两个电阻R,和R:中的一个是可调的
10×100Ω 1max≤120mA
ω为角频率2πf=314(50Hz)
高频/音频介电常数测试仪GDAT-A测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。
空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低。低频电桥概述
0.1%数量级的误差,当电容cx和Cw不平衡时尤为显著。
介损损耗tgδ
-测试仪正常工作条件
4pF—2000pF
注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
导线之间电容.此电容承受跨接测量臂两端的电压这样会引人一个通常使tans的测量精度限于
在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关
A.1. 2. 2 带瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥图 A. 2 示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法。这种方法是通过使用外接桥臂Z, .Z.(瓦格纳接地电路),并使这两个桥臂的中间点P接到屏蔽并接地。调节桥臂(实际为Zu)以使在Z,和Z上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等显然,这个解决方法包括两个桥即主桥AMNB和辅桥AMPB(或ANPB)同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐次地逼衡而终达到二者平衡用这种方法精度可以提高一个数量级,这时,实际上该精度只决定于电桥元件的精密度。必 须 指 出,只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘,则使用更复杂的装置(双屏蔽电桥)
桥臂。
ω为角频率2πf=314(50Hz)
外型尺寸:(l×bmm:380×132×280。电场强度
0-1
技术参数:
电感测量范围:4.5nH~7.9mH
Q值测量
Q值测量范围:2~1023。
Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
标称误差
频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):
固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%
工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%
Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。
信号源频率覆盖范围
频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
它在桥顶B处取一输入电压,通过放大后,在内屏蔽(S)产生一个与B电位相等的电压。
电容量Cx
-测试仪正常工作条件
±0.5% Cx±3pF
当电桥在平衡时,A,B,S三点电位必然相等,从而达到自动跟踪的目的。
0-1
10×1kΩ 1max≤15mA
A.1. 2. 2 带瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥图 A. 2 示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法。这种方法是通过使用外接桥臂Z, .Z.(瓦格纳接地电路),并使这两个桥臂的中间点P接到屏蔽并接地。调节桥臂(实际为Zu)以使在Z,和Z上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等显然,这个解决方法包括两个桥即主桥AMNB和辅桥AMPB(或ANPB)同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐次地逼衡而终达到二者平衡用这种方法精度可以提高一个数量级,这时,实际上该精度只决定于电桥元件的精密度。必 须 指 出,只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘,则使用更复杂的装置(双屏蔽电桥)
环境温度:0℃~+40℃;
4pF—2000pF
准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多,结果,绝大部分电压都施加在电容
这 种 电 桥的原理比西林电桥简单。其结构原理见图A.3 .
±1.5% tgδx±0.0001
.(编辑:吴中电机维修培训学校)