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　　此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的RDS(on)值（即乘以规格书提供的一个温度系数K）， 截止损耗，指在MOSFET完全截止后在漏源电压VDS(off)应力下产生的漏电流IDSS造成的损耗， IDSS会依VDS(off)变化而变化。而规格书提供的此值是在一近似V(BR)DSS条件下的参数，如计算的漏源电压VDS(off)很大以至接近V(BR)DSS则可直接引用此值，如很小，则可取零值，即忽略此项， 开启损耗。指在MOSFET开启中逐渐下降的漏源电压VDS(offon)(t)与逐渐上升的负载电流（即漏源电流）IDS(offon)(t)交叉重叠部分造成的损耗。

　　R11用于限制瞬态负载时流经光耦器的电流，以及调整反馈环路的增益。电阻R12用于偏置齐纳二极管VR6。 ICU1(LNK304)具有内置功能，因此可根据反馈信号消失、输出端短路以及过载对该电路提供保护，由于U1直接由其漏极引脚供电，因此不需要在变压器上添加额外的偏置绕组，用于提供内部电源去耦。 该电路可以简化AC/DC转换器中的EMI滤波器电路并降低其成本， 要使AC/DC电源符合EMI标准。就需要使用大量的EMI滤波器器件。例如X电容和Y电容，AC/DC电源的标准输入电路都包括一个桥式整流器。用于对输入电行整流(通常为50-60Hz)。

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　　降额系数为075V，06W，根据欧姆定律可求出n＞（）2/（06Pe）。 第二，经过雷击浪涌后有残压。其瞬时值一般在1000V取值；其瞬时功率值不能超过额定功率值的4倍，也可求出R＞(Vcy)2/（4Pe），两者综合考虑取R值，一般情况下，电阻R的取值为75－200K之间，功率为2－3W，金属膜电阻， 在允许的情况下，容量要求越大越好，其值很难确切地估算出来。要求取值在l－5uf之间（对每个电容），电容的耐压值必须经过雷击浪涌后取值，有残压，其瞬时值一般在1000V／s时不损坏，按二级降额的原则选取。取值在275V。

　　因为R2两端的电压等于Ube+UR4即07V+100Ω×线性直流电源电路设计工程师设Ic为2mAβ一般理论取值100则Ib=2mA/100=20#A这里有一个电流要估算的就是流过R1的电流了一般取值为Ib的10倍左右取IR1200#A。则R1=111V/200#A≈56KΩ(/200-20)#A=5KΩ考虑到实际上的β值可能远大于100所以R2的实际取值为47KΩ，这样R1、R2、R3、R4的取值分别为56KΩ47KΩ27KΩ100ΩUce为64V， 在上面的分析计算中多次提出假设什么的这在实际应用中是必要的很多时候需要一个参考值来给线性直流电源电路设计工程师计算但往往却没有这里面一是线性直流电源电路设计工程师对各种器件不熟悉二是忘记了一件事线性直流电源电路设计工程师自己才是用电路的人一些数据可以自己设定这样可以少走弯路。

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