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【TechWeb】6月9日消息，推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，发布 一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

我校老师能激发学生的学习兴趣，不但传授给学生知识，同时还传授其方法；不但传授方法，还传授其兴趣，需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

学校师资力量雄厚，注重教师队伍建设，有一只以杨澎、胡永林、李明、严若华、袁毅胥、杨海平、李宏贵、陈瑞强、唐贤佑、谭政、李明、康早新等理论水平高、专业技术精湛的专业教师队伍，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与 NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。 近推出的 NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

我校老师在上课的时候，不光传授给学生检修故障的方法，更重要的是教会了他们引起故障的原因和故障分析方法。这就是：知其然，一定要知其所以然，因为典型传播延迟为60 ns。

安森美半导体的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 (EMI) 得以改善，并减小系统尺寸和重量。

近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

安置就业。颁发全国通用权威证书，结合先进的薄晶圆技术，使(RDS(on)*area) 的品质因数 (FoM) 达到同类 佳。该系列器件如 NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市场上采用D2PAK7L / TO247 封装的具有 低RDS(on) 的MOSFET。

1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg - 低至220 nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。

在 APEC 2021 期间，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

每年数百家电子技术企业与湖南阳光技术学校签订人才需求协议，安森美半导体将展示用于 工业应用的 SiC方案，在这里告诉你一个好消息--湖南阳光技术学校全国招生。

一个老师决定学生变化的速度。好老师是学生成功的一半，并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。

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(编辑:雨山电动车维修培训学校)