一、宽频放大器的主要性能指标
(1)通频带△f由定义知△f=fH-fL,通常下限频率fL≈O,△f≈fHo,因此放大器通频带的扩展是设法增大上限频率fH数值。
(2)中频电压放大倍数KO:它的定义中频段的输出电压UO与输入电压Ui之比。
(3)增益与带宽乘积KO△f存在矛盾,即增大△f就会减小KO,反之则反,所以要用两者之积才能更全面地衡量放大器的质量。KO△f越大,则宽频放大器的性能就越好,
(4)上升时间ts:它定义为脉冲幅度从10%上升至90%所需时间,放大器的高频特性越好,则上升时间ts越小。
(5)下降时间tf:它的定义为脉冲幅度从90%下降至10%所需时间,
(6)上冲量δ:超过脉冲幅度的百分数,
(7)平顶下降量△:脉冲持续期内,顶部下降的百分数,放大器低频特性越好,平顶下降量越小。
二、扩展通频带的方法和电路
通常使用扩展频带的方法有三种:(1)负反馈法,在电路中引入负反馈,并使负反馈量高频时比低频时小,以补尝高频时输出电压减小的损失,这种方法是在不损坏失低频增益下进行补尝,但它的幅频特性却开不平坦,使输出脉冲波出现上冲;(3)利用各种接地电路的特点进行电路组合,以扩展放大器的通频带,下面介绍扩展带的电路
1、电压并联负反馈电路
图1是电压并联负反馈电路,这种电路主要补偿晶体管集-基结电容CC、输出电容CO
推荐阅读
-
湖南阳光电子技术学校-欢迎您!
相关文章
-   晶体管式直流稳压源
-   器件的筛选与检测
-   CMOS集成电路使用常识
-   检测仪器、设备的选购要点
-   只用三个芯片的相位计
-   液晶显示器的测量
-   随身听选择与购买常识问答
-   AD698型LVDT信号调
-   SMD元器件的符号意义
-   负反馈放大器原理
-   基于CS5321与CS53
-   如何消除瞬态互调失真
-   低频信号发生器
-   无触点开关在控制中的应用
-   双向可控硅的特性和使用
-   保险丝的参数选择及其应用
-   基于AD9444的时间交叉
-   自制简易热风焊台
-   宽频稳定放大器
-   浅谈可控硅的特性及检测
网站: http://www.hnygpx.net 报名电话:0731-5579057 13807313137 报名信箱: yp5579@263.net 咨询QQ: 361928696,873219118
校址:湖南省长沙市雨花区红花坡路176号(正圆厂内)。 来校路线:长沙火车站售票处后坪乘135路至"鼓风站"下车,回走100米即到 湘ICP备08002401